創(chuàng)業(yè)邦獲悉，3月3日，蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱：晶湛半導(dǎo)體）宣布完成數(shù)億元B+輪戰(zhàn)略融資，本輪融資由歌爾微電子領(lǐng)投，高瓴創(chuàng)投、惠友資本、創(chuàng)新工場、禾創(chuàng)致遠(yuǎn)、共青城軍合、無限基金、三七互娛、中信證券等跟投，老股東元禾控股、湖杉資本等繼續(xù)加碼。

本次B+輪戰(zhàn)略融資將主要用于晶湛半導(dǎo)體總部和研發(fā)中心建設(shè)，項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后晶湛半導(dǎo)體將建成氮化鎵電力電子、射頻電子以及微顯示材料研發(fā)生產(chǎn)基地，推動晶湛半導(dǎo)體進(jìn)入新的發(fā)展階段。

蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司致力于為微波射頻和電力電子器件應(yīng)用領(lǐng)域提供高品質(zhì)氮化鎵外延材料。公司成立于2012年3月，坐落于江蘇省蘇州工業(yè)園區(qū)納米城。2013年8月，晶湛開始在蘇州納米城建設(shè)GaN外延材料生產(chǎn)線，可年產(chǎn)150mm氮化鎵外延片2萬片。

晶湛半導(dǎo)體高度重視自主研發(fā)和核心知識產(chǎn)權(quán)工作，在氮化鎵外延領(lǐng)域已掌握多項(xiàng)核心技術(shù), 擁有完全獨(dú)立的自主知識產(chǎn)權(quán)，晶湛半導(dǎo)體目前已在國內(nèi)外累計申請近400項(xiàng)專利，其中已獲得超100項(xiàng)專利授權(quán)。公司還先后榮獲蘇州市技術(shù)發(fā)明一等獎、蘇州工業(yè)園區(qū)專利授權(quán)十佳企業(yè)、蘇州工業(yè)園區(qū)知識產(chǎn)權(quán)高質(zhì)量創(chuàng)造獎、江蘇省百件優(yōu)質(zhì)發(fā)明專利、江蘇省高質(zhì)量發(fā)明專利、蘇州市優(yōu)秀專利獎、國家高新技術(shù)企業(yè)、蘇州市獨(dú)角獸培育企業(yè)、 蘇州市企業(yè)工程技術(shù)研究中心等一系列資質(zhì)和榮譽(yù)。

創(chuàng)新工場執(zhí)行董事熊昊表示，氮化鎵（GaN）在功率、射頻、光電領(lǐng)域有廣泛的落地場景，尤其在高頻和高功率領(lǐng)域應(yīng)用效果特別出色，更可廣泛滲透和推動通信、計算機(jī)、消費(fèi)電子、汽車電子、航空航天、國防軍工等產(chǎn)業(yè)迭代升級，是智能制造不可或缺的關(guān)鍵核心器件。未來氮化鎵在各領(lǐng)域的滲透率將快速提升，市場前景廣闊。晶湛半導(dǎo)體擁有全球領(lǐng)先的學(xué)術(shù)和產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗(yàn)，是全球最早，也是最頭部的氮化鎵外延技術(shù)公司之一。我們相信，在程凱博士的帶領(lǐng)下，晶湛半導(dǎo)體將持續(xù)引領(lǐng)技術(shù)的進(jìn)步，通過整合上下游的資源，在功率、射頻和微顯示等終端應(yīng)用爆發(fā)增長的浪潮中，成為產(chǎn)業(yè)鏈上核心的氮化鎵器件和材料供應(yīng)商。

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